디램 설계 공정 문제1 삼성전자 메모리 반도체의 도전과 과제 - HBM과 기술 혁신의 갈림길 삼성전자의 메모리 반도체 사업이 중대한 기로에 서 있습니다. 디램 분야에서 2016년부터 독과점 구조를 유지해왔으나, 중국 기업들의 급격한 추격으로 기술 격차가 빠르게 좁혀지고 있습니다. 특히 DDR4에서는 중국 CXMT가 삼성전자의 기술 수준에 근접했으며, DDR5에서도 약 1.5년 내외의 격차로 좁혀진 상황입니다. 전문가들은 2027년경에는 기술 격차가 사실상 소멸될 수 있다고 전망하고 있습니다.1. 기술적 도전과 한계삼성전자가 직면한 가장 큰 기술적 도전은 공정과 설계 사이의 불일치 문제입니다. Z/1단계 공정부터 시작된 이 문제는 다음과 같은 특징을 보입니다:a) 파티클 디펙트(Particle Defect) 관리공정 미세화로 인한 선폭 감소로 파티클 관리가 더욱 중요해짐리던던시 디자인의 효율성 저.. 2025. 1. 2. 이전 1 다음
